您的位置: 标准下载 » 国际标准 » ISO 国际标准 »

ISO 6722-1 Technical Corrigendum 1-2012 道路车辆.60V和600V单芯电缆.第1部分:铜芯电缆用尺寸规格,试验方法和要求.技术勘误表1

时间:2022-09-26 02:46:28 来源: 标准资料网 作者:标准资料网 阅读:8214
下载地址: 点击此处下载
【英文标准名称】:Roadvehicles-60Vand600Vsingle-corecables-Part1:Dimensions,testmethodsandrequirementsforcopperconductorcables;TechnicalCorrigendum1
【原文标准名称】:道路车辆.60V和600V单芯电缆.第1部分:铜芯电缆用尺寸规格,试验方法和要求.技术勘误表1
【标准号】:ISO6722-1TechnicalCorrigendum1-2012
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2012-09
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际标准化组织(IX-ISO)
【起草单位】:ISO/TC22
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电缆;导体结构;铜电缆;设计;名称与符号;尺寸规格;电缆线;电气设备;绝缘电缆;低电压;低压电缆;标志;材料;汽车;道路车辆;单线的;单线;规范(验收);试验;非屏蔽的;运载工具部件
【英文主题词】:Cables;Conductorstructures;Coppercable;Design;Designations;Dimensions;Electriccables;Electricalequipment;Insulatedcables;Lowvoltage;Low-tensioncables;Marking;Materials;Motorvehicles;Roadvehicles;Singlewire;Singlewires;Specification(approval);Testing;Unscreened;Vehiclecomponents
【摘要】:
【中国标准分类号】:K13
【国际标准分类号】:43_040_10
【页数】:5P;A4
【正文语种】:英语


【英文标准名称】:Slideprojectors
【原文标准名称】:幻灯机
【标准号】:JISB7163-1997
【标准状态】:作废
【国别】:日本
【发布日期】:1997-10-20
【实施或试行日期】:
【发布单位】:日本工业标准调查会(JISC)
【起草单位】:TechnicalCommitteeonTestingandMeasurementTechnology
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:幻灯放映机
【英文主题词】:still-pictureprojectors
【摘要】:この規格は,スライド及びフィルムストリップの1種類又は数種類を映写することができるスライド映写機(以下,映写機という。)について規定する。ただし,この規格は,内蔵スクリーンだけを使用するもので,スクリーンの長辺の長さが120mm以下のものには適用しない。
【中国标准分类号】:N45
【国际标准分类号】:37_040_10
【页数】:14P;A4
【正文语种】:日语


【英文标准名称】:StandardPracticeforCharacterizingNeutronFluenceSpectrainTermsofanEquivalentMonoenergeticNeutronFluenceforRadiation-HardnessTestingofElectronics
【原文标准名称】:确定电子辐射强度试验用等效单能级中子流量的能级中中子流量能谱的特征的标准实施规程
【标准号】:ASTME722-2009e1
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2009
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:E10.07
【标准类型】:(Practice)
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:displacementdamage;electronichardness;galliumarsenide;hardnessparameter;silicon;silicondamage;siliconequivalentdamage(SED);1&x2013;MeVequivalentfluence;Displacement--electronicmaterials/applications;
【摘要】:Thispracticeisimportantincharacterizingtheradiationhardnessofelectronicdevicesirradiatedbyneutrons.Thischaracterizationmakesitfeasibletopredictsomechangesinoperationalpropertiesofirradiatedsemiconductordevicesorelectronicsystems.Tofacilitateuniformityoftheinterpretationandevaluationofresultsofirradiationsbysourcesofdifferentfluencespectra,itisconvenienttoreducetheincidentneutronfluencefromasourcetoasingleparameterx2014;anequivalentmonoenergeticneutronfluencex2014;applicabletoaparticularsemiconductormaterial.Inordertodetermineanequivalentmonoenergeticneutronfluence,itisnecessarytoevaluatethedisplacementdamageoftheparticularsemiconductormaterial.Ideally,thisquantityiscorrelatedtothedegradationofaspecificfunctionalperformanceparameter(suchascurrentgain)ofthesemiconductordeviceorsystembeingtested.However,thiscorrelationhasnotbeenestablishedunequivocallyforalldevicetypesandperformanceparameterssince,inmanyinstances,othereffectsalsocanbeimportant.Ionizationeffectsproducedbytheincidentneutronfluenceorbygammaraysinamixedneutronfluence,short-termandlong-termannealing,andotherfactorscancontributetoobservedperformancedegradation(damage).Thus,cautionshouldbeexercisedinmakingacorrelationbetweencalculateddisplacementdamageandperformancedegradationofagivenelectronicdevice.Thetypesofdevicesforwhichthiscorrelationisapplicable,andnumericalevaluationofdisplacementdamagearediscussedintheannexes.Theconceptof1-MeVequivalentfluenceiswidelyusedintheradiation-hardnesstestingcommunity.Ithasmeritsanddisadvantagesthathavebeendebatedwidely(9-12).Forthesereasons,specificsofastandardapplicationofthe1-MeVequivalentfluencearepresentedintheannexes.1.1Thispracticecoversproceduresforcharacterizingneutronfluencefromasourceintermsofanequivalentmonoenergeticneutronfluence.Itisapplicabletoneutroneffectstesting,tothedevelopmentoftestspecifications,andtothecharacterizationofneutrontestenvironments.Thesourcesmayhaveabroadneutron-energyrange,ormaybemono-energeticneutronsourceswithenergiesupto20MeV.Thispracticeisnotapplicableincaseswherethepredominantsourceofdisplacementdamageisfromneutronsofenergylessthan10keV.Therelevantequivalenceisintermsofaspecifiedeffectoncertainphysicalpropertiesofmaterialsuponwhichthesourcespectrumisincident.Inordertoachievethis,knowledgeoftheeffectsofneutronsasafunctionofenergyonthespecificpropertyofthematerialofinterestisrequired.Sharpvariationsintheeffectswithneutronenergymaylimittheusefulnessofthispracticeinthecaseofmono-energeticsources.1.2Thispracticeispresentedinamannertobeofgeneralapplicationtoavarietyofmaterialsandsources.Correlationbetweendisplacements(1-3)causedbydifferentparticles(electrons,neutrons,protons,andheavyions)isbeyondthescopeofthispractice.Inradiation-hardnesstestingofelectronicsemiconductordevices,specificmaterialsofinterestincludesiliconandgalliumarsenide,andtheneutronsourcesgenerallyaretestandresearchreactorsandcalifornium-252irradiators.1.3Thetechniqueinvolvedreliesonthefollowingfactors:(1)adetaileddeterminationofthefluencespectrumoftheneutronsource,and(2)aknowledgeofthedegradation(damage)effectsofneutronsasafunctionofenergyonspecificmaterialproperties.1.4Thedetaileddeterminationoft......
【中国标准分类号】:A58
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:27P.;A4
【正文语种】:英语