基本信息
| 标准名称： | 硅片径向电阻率变化的测量方法 |
| 英文名称： | Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 被GB/T 11073-2007替代 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1989-03-31 |
| 实施日期： | 1990-02-01 |
| 首发日期： | 1989-03-31 |
| 作废日期： | 2008-02-01 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 起草单位： | 峨嵋半导体材料研究所 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 14页 |
适用范围
本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法